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元件参数资料
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参数目录50423
> BAS19 DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
型号:
BAS19
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器
BAS19 PDF
产品变化通告
Mold Compound Change 12/Dec/2007
标准包装
3,000
系列
-
二极管类型
标准
电压 - (Vr)(最大)
120V
电流 - 平均整流 (Io)
200mA
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)
1.25V @ 200mA
速度
小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间(trr)
50ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电
100nA @ 100V
电容@ Vr, F
5pF @ 0V,1MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装
SOT-23-3(TO-236)
包装
带卷 (TR)
其它名称
BAS19-ND
BAS19FSTR
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